產品詳情
        • 產品名稱:高真空磁控濺射鍍膜儀

        • 產品型號:CY-HVM
        • 產品廠商:成越科儀
        • 產品文檔:
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        簡單介紹:
        高真空磁控濺射鍍膜儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。高真空磁控濺射鍍膜儀廣泛應用于科研院所、實驗室制備單層或多層薄膜,以及新材料、新工藝研究。
        詳情介紹:

        高真空磁控濺射鍍膜儀設備用途:

        用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

        高真空磁控濺射鍍膜儀技術參數:

        真空室

        梨型真空室,尺寸? 560×350mm

        真空系統配置

        復合分子泵、機械泵、閘板閥

        極限壓力

        2.0 * 10-5 Pa (經烘烤除氣后)

        恢復真空時間:

        40 分鐘可達6 .6*10-4 Pa 。(系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣)

         

        磁控靶組件

        永磁靶5套;靶材尺寸?60mm(其中一個可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內水冷;靶與樣品距離 90~130mm可調;

         

        基片水冷加熱公轉臺

        基片結構

        設計6個工位,其中1個工位安裝加熱爐,其余工位為水冷基片臺

        樣品尺寸

        ?30mm,可放置6

        運動方式

        0?360℃往復回轉

        加熱

        基片加熱*高溫度600±1

        基片負偏壓

        200

        氣路系統

        控制器 2

        計算機控制系統

        控制樣品轉動,擋板開關,靶位確認等

        設備占地面積

        主機

        1300×800mm2

        電控柜

        700×700m2

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