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- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
本產(chǎn)品為專為高真空設(shè)計(jì)的桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀，可提供*大100A的鍍膜電流，*大蒸發(fā)溫度可達(dá)1800℃，能夠滿足各種常見(jiàn)金屬的蒸鍍及部分非金屬蒸鍍。真空腔體采用不不銹鋼制作，出廠經(jīng)過(guò)除氣處理，配合分子泵組可達(dá)到5x10-5Pa極限真空，能夠滿足絕大部分材料蒸發(fā)所需的真空環(huán)境。真空腔體采用前開(kāi)門開(kāi)啟方式，便于取放樣，腔體上配置有帶擋板的適應(yīng)觀察窗，用于觀察鍍膜過(guò)程，擋板則可以有效防止觀察窗被膜料污染.
蒸發(fā)鍍膜儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
高純度薄膜：由于在高真空條件下進(jìn)行，減少了氣體分子與蒸發(fā)材料的碰撞，從而能夠制備出高純度的薄膜。**控制：蒸發(fā)鍍膜技術(shù)允許對(duì)薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)進(jìn)行**控制，這在許多高精度應(yīng)用中至關(guān)重要。
適用多種材料：蒸發(fā)鍍膜技術(shù)可以用于多種材料，包括金屬、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有機(jī)材料等。
高沉積速率：特別是使用電子束蒸發(fā)時(shí)，由于高能量的電子束能夠快速加熱材料，可以實(shí)現(xiàn)高沉積速率。
均勻性：通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)調(diào)整，可以在大面積基底上獲得均勻的薄膜。
低損傷：由于加熱主要集中在蒸發(fā)材料上，對(duì)基底的熱影響較小，適用于熱敏材料的薄膜沉積。
蒸發(fā)鍍膜儀技術(shù)對(duì)數(shù)：
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參數(shù)名稱 |
參數(shù)說(shuō)明 |
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產(chǎn)品名稱 |
前開(kāi)門臺(tái)式蒸發(fā)鍍膜儀 |
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產(chǎn)品型號(hào) |
CY-EVZ254-I-H-SS |
CY-EVZ254-II-HH-SS |
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真空腔體 |
腔體材質(zhì) |
304不銹鋼焊接而成，表面做拋光處理 |
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取放模式 |
前開(kāi)門方式取放樣品和蒸鍍材料 |
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觀察窗 |
直徑80mm真空窗口，配有磁力擋板，防止污染 |
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樣品臺(tái) |
樣品尺寸 |
直徑≦100mm的平面樣品均可 |
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旋轉(zhuǎn)速度 |
分不旋轉(zhuǎn)和旋轉(zhuǎn)型（0-20RPM） |
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加熱溫度 |
≦1800℃ |
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蒸發(fā)系統(tǒng) |
蒸發(fā)源 |
鎢絲籃或塢舟 1個(gè) |
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樣品臺(tái)蒸發(fā)源距離 |
60-100mm 可調(diào) |
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鍍膜方式 |
熱蒸發(fā)鍍膜 |
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真空系統(tǒng) |
抽氣接口：KF25/40, 排氣接口： KF16 |
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復(fù)合真空計(jì)，電阻規(guī)+電離規(guī) |
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前級(jí)泵 |
旋片泵 抽速： 1.1L/S |
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分子泵 |
抽速： 62L/S (大阪分子泵) |
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膜厚測(cè)量 |
通常配CYKY膜厚測(cè)量?jī)x （可選） |
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也可選配進(jìn)口品牌，價(jià)格額外計(jì)算 |
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供電電壓 |
AC220V,50Hz |
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整機(jī)功率 |
2KW |
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外形尺寸 |
750mm X 450mm X750mm |
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包裝重量 |
70 KG |
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